光刻是半导体制造工艺中器件和电路结构图形从掩模转移到半导体晶片的过程。光刻技术是从借用照相术、平版印刷术的基础。上逐渐发展起来的半导体关键工艺技术。光刻原本是指通过曝光工序把掩模版上某层的半导体器件或电路的版图复印到半导体晶片表面的抗蚀剂膜上，再通过显影工序溶解去除或者保留被曝光区域的抗蚀剂膜，使抗蚀剂膜生成与掩模版相同的版图，最后利用抗蚀剂的掩蔽作用，选择性刻蚀半导体晶片材料，最终实现将掩模版上的图形转移到半导体晶片表面上的目的。由于整个光刻过程中最关键的是曝光技术，而且曝光技术发展非常快、种类非常多，自然地把采用某某方式或者某某光源进行曝光称为相应的光刻技术，如：接触式光刻、投影光刻、极紫外光刻、193浸没光刻、电子束光刻、二重光刻、多重光刻、压印光刻和纳米光刻等。

      注意：在微电子领域不要把"LITHOGRAPHY"翻译成“平版印刷”或“石版印刷”，应为“光刻”。

      同义词："微影”(中国台湾行业用语) 。

      注：光致抗蚀剂(学名)=光刻胶(俗称)

      掩模版上有要加工的图形，分为透光和不透光。

      光刻胶曝光后发生光化学反应，反应后不溶于显影液的是负胶，反应后易溶于显影液的是正胶。