比较快捷的光刻胶选择方法是从后道工艺需求倒推对光刻胶的参数要求，从而选择合适的光刻胶。

       例如，我们在光刻之后要进行400um深度的深硅刻蚀工艺，而线宽的要求是50um。般光刻胶薄胶与硅材料的刻蚀速度都可以达到1：20的刻蚀选择比，因此我们可以得到所需光刻胶应在20um以上厚度，而分辨率在50um以下。

       此时我们可以查阅相应的光刻胶列表，首先选择光刻胶厚度范围符合20um这一厚胶特征的，然后再在厚胶中，选择分辨率优于50um的光刻胶。我们一般会发现不止一种光刻胶适合这一工艺，因此我们就要详细阅读其具体的参考工艺参数和介绍。要确认该光刻胶在描述中是否适合所需刻蚀工艺，目前的设备条件是否适合加工该种光刻胶，进而要比较不同光刻胶对于本工艺的工艺窗口是否宽大，尽可能选择工艺窗口宽，工艺难度低的光刻胶材料。